IRF840
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Detaillierte Produktbeschreibung
Transistor
MOS-N-FET-e; V-MOS
Gehäuse: TO220AB
Uds: 500V
Id: 8A
Ptot: 125W
Rdson: < 0,85R
Zusätzliche Parameter
Kategorie: | Transistoren |
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Gehäuse: | TO220AB |
Art oder Typ: | N-FET |