BUZ50A Transistor MOS-N-FET-e V-MOS Gehäuse TO220
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Detaillierte Produktbeschreibung
Siemens Components BUZ50A Transistor MOS-N-FET-e V-MOS Gehäuse TO220.
Eigenschaften :
• MOS-N-FET-e; V-MOS
Technische Daten :
• Gehäuse: TO220
• Uds: 1000V
• Id: 2,5A
• Ptot: 75W
• Rdson: < 5R
Zusätzliche Parameter
Kategorie: | Halbleiter |
---|---|
Gehäuse: | TO220 |
Art oder Typ: | N-FET |