BS107
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Detaillierte Produktbeschreibung
Transistor
MOS-N-FET-e; V-MOS
Gehäuse: TO92
Uce0: 200V
Ic: 0,12A
Ptot: 0,5W
ft: 5/15ns
Zusätzliche Parameter
Kategorie: | Transistoren |
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Gehäuse: | TO92 |
Art oder Typ: | N-FET |